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晶体管

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参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：	此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	14 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	1 A
输出功率	14 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	15.8 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.5 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113812

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IPN70R1K5CEATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET CONSUMER	1:¥4.4522 10:¥3.7064 100:¥2.3956 1,000:¥1.9097 3,000:¥1.9097	参考库存:4698
2N834A	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40Vcbo 30Vces 5.0Vebo 200mA 300mW	2,000:¥18.5998 4,000:¥17.8992	参考库存:25278
CD8447DR2G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET QUAD CHANNEL VOLTAGE	1:¥4.6104 10:¥3.7968 100:¥2.4521 1,000:¥1.9549 2,500:¥1.6498	参考库存:402780
2N4856A	InterFET	晶体管	PDF数据手册	JFET N-Channel 50mA	1:¥91.6656 10:¥75.145 100:¥62.3986 500:¥56.8616	参考库存:25285
DDTD113EU-7-F	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 200MW 1K1K	3,000:¥0.36838 9,000:¥0.31527 24,000:¥0.29945 45,000:¥0.27685	参考库存:25290