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晶体管
IPG20N06S2L50AATMA1参考图片

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IPG20N06S2L50AATMA1

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数量单价合计
1
¥10.5994
10.5994
10
¥9.0626
90.626
100
¥6.9721
697.21
500
¥6.1585
3079.25
5,000
¥4.3053
21526.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
51 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
2 ns
零件号别名
IPG20N06S2L-50A SP001023842
商品其它信息
优势价格，IPG20N06S2L50AATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDME510PZT
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET -20V P-Channel PowerTrench
1:¥4.9155
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
5,000:¥1.7628
参考库存:25716
FGA60N60UFDTU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 600V 60A FIELD STOP
1:¥45.6407
10:¥41.2676
25:¥39.3466
100:¥34.1938
参考库存:5448
SI4134DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥6.1472
10:¥4.9042
100:¥3.729
500:¥3.0736
1,000:¥2.4634
2,500:¥2.2261
参考库存:19155
BCX56-16,147
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin(3+Tab)
1:¥3.616
10:¥2.5651
100:¥1.1752
1,000:¥0.90626
2,000:¥0.7684
参考库存:52302
CSD17302Q5A
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
1:¥7.3789
10:¥6.3054
100:¥4.8364
500:¥4.2827
2,500:¥2.9945
10,000:查看
参考库存:18704
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