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晶体管
AIGW40N65H5XKSA1参考图片

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AIGW40N65H5XKSA1

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数量单价合计
1
¥46.5673
46.5673
10
¥39.5726
395.726
100
¥34.2729
3427.29
250
¥32.5779
8144.475
500
¥29.1992
14599.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
PG-TO247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.66 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
74 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nS
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
AIGW40N65H5 SP001346886
商品其它信息
优势价格,AIGW40N65H5XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥15.8313
250:¥15.0629
1,000:¥11.3678
2,000:查看
参考库存:41751
晶体管
MOSFET SO-6 N-CH ENHANCE
1:¥3.616
10:¥2.7911
100:¥1.5142
1,000:¥1.13
3,000:¥0.97632
参考库存:17050
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥779.5418
2:¥755.4163
5:¥755.179
10:¥730.8275
参考库存:4192
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 GaN HEMT 1.8-2.2GHz, 200 Watt
暂无价格
参考库存:41760
晶体管
MOSFET Nch 600V 30A Si MOSFET
1:¥25.8996
10:¥21.9785
100:¥19.0518
250:¥18.0574
参考库存:14014
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