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晶体管

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APTGT100TL60T3G

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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:22,133(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥669.8188
669.8188
5
¥648.2245
3241.1225
10
¥627.941
6279.41
25
¥598.6627
14966.5675
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
340 W
封装 / 箱体
SP3-32
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APTGT100TL60T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥51.9461
10:¥46.9515
25:¥44.7254
100:¥38.8042
参考库存:4378
晶体管
MOSFET Quad N-Channel Array
1:¥36.6572
10:¥32.7361
25:¥29.4252
50:¥28.6568
参考库存:3970
晶体管
MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.40V
1:¥27.5833
10:¥24.6679
25:¥22.2045
50:¥21.5943
参考库存:3642
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Low Noise 60Vcbo 40Vceo 8.0pF
1:¥73.3031
10:¥72.6929
25:¥66.2406
100:¥59.777
参考库存:3749
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.1A
1:¥1.5368
10:¥1.08367
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.24634
参考库存:9981
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