您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
STGWT30H60DFB参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

STGWT30H60DFB

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:5,538(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.747
24.747
10
¥21.0519
210.519
100
¥18.2156
1821.56
250
¥17.289
4322.25
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT30H60DFB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,STGWT30H60DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥7.3789
10:¥6.0342
100:¥4.633
500:¥3.9889
1,000:¥3.1527
3,000:¥3.1527
参考库存:29447
晶体管
MOSFET
1:¥9.379
10:¥7.9891
100:¥6.1811
500:¥5.4579
1,000:¥4.3053
2,500:¥4.3053
参考库存:14184
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 14Watt NF 1.5dB GaN
50:¥394.4152
100:¥348.4694
250:¥324.1066
参考库存:1631
晶体管
MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
1:¥14.1363
10:¥12.7577
100:¥10.1474
500:¥7.91
2,000:¥5.9777
4,000:查看
参考库存:11383
晶体管
IGBT 晶体管 DISCRETES
1:¥46.5673
10:¥39.5726
100:¥34.2729
250:¥32.5779
500:¥29.1992
参考库存:2585
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号