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晶体管
RN2911,LF参考图片

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RN2911,LF

  • Toshiba
  • 最新
  • 双极晶体管 - 预偏置 US6-PLN
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数量单价合计
1
¥2.3052
2.3052
10
¥1.5029
15.029
100
¥0.63054
63.054
1,000
¥0.43053
430.53
3,000
¥0.32318
969.54
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
10 kOhms
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
US-6
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 50 V
集电极连续电流
- 100 mA
Pd-功率耗散
200 mW
系列
RN2911
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
高度
0.9 mm
长度
2 mm
类型
PNP Epitaxial Silicon Transistor
宽度
1.25 mm
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
- 100 mA
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,RN2911,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -40V4.2MOHMSINGLE
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥15.2098
500:¥13.2888
1,500:¥10.2943
4,500:查看
参考库存:10525
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥11.9102
10:¥9.9101
100:¥7.684
500:¥6.7348
3,000:¥5.198
6,000:查看
参考库存:34162
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥13.9103
10:¥11.526
100:¥8.9948
500:¥7.8422
1,000:¥6.4749
3,000:¥6.4749
参考库存:33514
晶体管
MOSFET LOW POWER_LEGACY
1:¥13.0628
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
1,000:¥6.4523
2,500:¥6.0003
参考库存:29166
晶体管
MOSFET P-Ch -100V 15A DPAK-2
1:¥12.8368
10:¥10.9158
100:¥8.6784
500:¥7.6501
2,500:¥5.8986
5,000:查看
参考库存:16668
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