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晶体管
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QPD2194SR

  • Qorvo
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
19.1 dB
晶体管极性
N-Channel
输出功率
371 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI400-2
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.8 GHz to 2.2 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD2194PCB4B01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，QPD2194SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPT60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥47.5617
10:¥42.9513
25:¥40.9512
100:¥35.5724
2,000:¥25.9674
参考库存:14255
IRG4BC30FPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
参考库存:9052
BSC670N25NSFDATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥15.2098
500:¥13.2888
5,000:¥9.9101
参考库存:47349
IRG4BC20SD-SPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V DC-1kHz
1:¥21.0519
10:¥17.8992
100:¥14.2945
500:¥12.5204
参考库存:6311
EFC4612R-TR
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIES
1:¥4.9155
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
5,000:¥1.6159
参考库存:19463
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