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晶体管
NVMFS5C404NLAFT3G参考图片

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NVMFS5C404NLAFT3G

  • ON Semiconductor
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  • MOSFET T6 40V HEFET
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数量单价合计
5,000
¥15.9104
79552
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-FL-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
52 A, 370 A
Rds On-漏源导通电阻
520 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
181 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.9 W, 200 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
系列
NVMFS5C404NL
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
下降时间
157 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
135 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
87 ns
典型接通延迟时间
24 ns
商品其它信息
优势价格,NVMFS5C404NLAFT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N CH MOSFET
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1471
250:¥4.1471
500:¥3.6612
参考库存:14484
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45.0 V 100 mA
1:¥1.695
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:671876
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 2.7mOhm 150A STripFET VI
1:¥12.3735
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.1642
参考库存:6258
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon Double TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
10,000:¥0.5763
20,000:查看
参考库存:46780
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,865.7543
5:¥1,820.882
10:¥1,775.6142
25:¥1,750.7203
参考库存:3047
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