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晶体管
NVMFS5A140PLZT1G参考图片

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NVMFS5A140PLZT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET -40V4.2MOHMSINGLE
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数量单价合计
1
¥22.4418
22.4418
10
¥19.0518
190.518
100
¥15.2098
1520.98
500
¥13.2888
6644.4
1,500
¥10.2943
15441.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8FL
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
140 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
136 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
200 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel Power MOSFET
商标
ON Semiconductor
下降时间
740 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
860 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
540 ns
典型接通延迟时间
50 ns
商品其它信息
优势价格,NVMFS5A140PLZT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PBSS5255PAPS/HUSON6/REEL 7" Q1
1:¥4.068
10:¥3.3561
100:¥2.0453
1,000:¥1.582
3,000:¥1.356
参考库存:16519
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V 6A NPN high power bipolar
1:¥4.7686
10:¥3.8985
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
1,500:¥1.5707
参考库存:19721
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥27.8206
10:¥23.5944
100:¥20.4417
250:¥19.436
参考库存:28163
晶体管
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC
1:¥4.4522
10:¥3.6951
100:¥2.2487
1,000:¥1.7402
2,500:¥1.4803
参考库存:16225
晶体管
MOSFET N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
1:¥34.1938
10:¥29.041
100:¥25.199
250:¥23.8995
参考库存:30642
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