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晶体管

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GT30J121(Q)

  • Toshiba
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  • IGBT 晶体管 600V/30A DIS
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
GT30J121
集电极最大连续电流 Ic
30 A
高度
19 mm
长度
15.9 mm
宽度
4.8 mm
商标
Toshiba
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
50
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,GT30J121(Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 6A, 750mOhm
1:¥13.0628
10:¥11.6051
100:¥9.1417
500:¥7.0964
2,500:¥5.0737
5,000:查看
参考库存:3475
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:6817
晶体管
MOSFET MOSFT 85A 5.8mOhm 30V 15nC Qg log lvl
1:¥3.7629
10:¥3.1301
100:¥1.9097
1,000:¥1.4803
3,000:¥1.2656
参考库存:17644
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥279.2343
5:¥268.3298
10:¥258.1824
25:¥237.2774
参考库存:3446
晶体管
MOSFET PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY
1:¥41.9569
10:¥40.2619
25:¥36.8832
50:¥35.1882
参考库存:3403
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