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产品分类

晶体管

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BSM75GAR120DN2

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数量单价合计
10
¥586.3683
5863.683
30
¥566.8532
17005.596
100
¥527.8117
52781.17
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
IS4 (34 mm )-5
安装风格
Chassis Mount
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
625 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
94 mm
宽度
34 mm
商标
Infineon Technologies
集电极连续电流
105 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM75GAR120DN2HOSA1 SP000100462
单位重量
154.120 g
商品其它信息
优势价格,BSM75GAR120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5539
500:¥4.0228
1,000:¥3.1753
5,000:¥3.1753
参考库存:25422
晶体管
MOSFET MOSFT 200V 5A 600mOhm 15nC
1:¥6.3732
10:¥5.2997
100:¥3.4239
1,000:¥2.7346
3,000:¥2.7346
参考库存:29089
晶体管
MOSFET 20V 6.7A 0.03Ohm
1:¥6.7574
10:¥5.5822
100:¥4.2827
500:¥3.6838
3,000:¥3.6838
参考库存:42041
晶体管
MOSFET N-CH 650V 0.335Ohm 10A MDmesh M5
1:¥24.2046
10:¥20.5208
100:¥17.8314
250:¥16.9048
3,000:¥12.1362
6,000:查看
参考库存:15433
晶体管
MOSFET MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC
1:¥43.957
10:¥37.3465
100:¥32.3519
250:¥30.736
500:¥27.5833
参考库存:8070
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