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晶体管
SIR180DP-T1-RE3参考图片

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SIR180DP-T1-RE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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数量单价合计
1
¥13.9103
13.9103
10
¥11.526
115.26
100
¥8.9948
899.48
500
¥7.8422
3921.1
1,000
¥6.4749
6474.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
2.05 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
87 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIR
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
35 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
17 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥0.43844
1,000:¥0.29154
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1:¥7.1416
10:¥5.8986
100:¥3.8081
1,000:¥3.0397
1,500:¥2.5764
参考库存:9591
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