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晶体管
STH130N8F7-2参考图片

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STH130N8F7-2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 80 V, 4.2 mOhm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 package
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数量单价合计
1
¥14.2154
14.2154
10
¥12.0684
120.684
100
¥9.6841
968.41
500
¥8.4524
4226.2
1,000
¥7.0286
7028.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H2PAK-2
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
110 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
205 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
系列
STH130N8F7-2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
120 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
210 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
190 ns
典型接通延迟时间
140 ns
商品其它信息
优势价格，STH130N8F7-2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF7389TRPBF
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24,000:查看
参考库存:44912
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