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晶体管
STGB6M65DF2参考图片

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STGB6M65DF2

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
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数量单价合计
1
¥10.1474
10.1474
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6105
661.05
500
¥5.8421
2921.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
12 A
Pd-功率耗散
88 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB6M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
12 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGB6M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 650V/75A CK46 IGBT DIE SA
173:¥26.1256
250:¥24.747
500:¥22.2045
1,000:¥18.7467
参考库存:40829
晶体管
MOSFET T6 40V LL S08FL DS
1:¥12.5995
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.4806
1,500:¥5.7743
4,500:查看
参考库存:40834
晶体管
IGBT 晶体管 Strobe IGBT
3,000:¥3.7629
6,000:¥3.5821
参考库存:40839
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 465V NPN High Volt 700Vces 450Vceo
2,000:¥0.44522
10,000:¥0.40002
24,000:¥0.36838
参考库存:40844
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/2A/800V DPAK
暂无价格
参考库存:12052
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