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晶体管
STL33N60DM2参考图片

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STL33N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
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库存:11,295(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥33.1203
33.1203
10
¥28.1257
281.257
100
¥24.3628
2436.28
250
¥23.1311
5782.775
3,000
¥16.5997
49799.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-8x8-HV-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
115 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
43 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STL33N60DM2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
9 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62 ns
典型接通延迟时间
17 ns
商品其它信息
优势价格,STL33N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥6.3054
10:¥5.2658
100:¥3.4013
1,000:¥2.7233
2,000:¥2.7233
参考库存:20407
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V
1:¥297.6759
5:¥282.613
10:¥277.6975
25:¥251.7301
参考库存:4184
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS:
1:¥2.6103
10:¥1.7176
100:¥0.73789
1,000:¥0.56839
10,000:¥0.3842
20,000:查看
参考库存:48656
晶体管
MOSFET 250V 3.0A 117 OHM NCH ULTRAFE
1:¥12.9046
10:¥10.9836
100:¥8.8366
500:¥7.6049
1,000:¥6.3506
2,500:¥6.3506
参考库存:45153
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
1:¥6.9947
10:¥5.8421
100:¥3.7629
1,000:¥3.0171
5,000:¥3.0171
参考库存:90785
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