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晶体管
SQ1431EH-T1_GE3参考图片

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SQ1431EH-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified
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库存：31,947(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥2.9945
29.945
100
¥2.2261
222.61
500
¥1.8193
909.65
3,000
¥1.2882
3864.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
6.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
3 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格，SQ1431EH-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFZ44PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥13.1419
10:¥10.8367
参考库存:16163
2SAR542PT100
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT PNP 30V 5A
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
2,000:¥1.6724
参考库存:14290
CPH5901G-TL-E
ON Semiconductor
晶体管
JFET NCH J-FET+BIP NPN TR
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:16442
FDD9410-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET NMOS DPAK 40V 4.1 MOHM
1:¥7.1416
10:¥5.9325
100:¥3.8307
1,000:¥3.0623
2,500:¥2.5877
参考库存:22379
IRFSL11N50APBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET TO-26
1:¥27.9675
10:¥23.2102
100:¥19.1309
250:¥18.5207
500:¥16.5997
参考库存:5961
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