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晶体管
SIHD2N80E-GE3参考图片

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SIHD2N80E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
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数量单价合计
1
¥11.0627
11.0627
10
¥9.1417
91.417
100
¥6.9721
697.21
500
¥5.989
2994.5
1,000
¥4.7234
4723.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
2.8 A
Rds On-漏源导通电阻
2.38 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
9.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,SIHD2N80E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Small SIG 50V 45V VCEO 6.0V VEBO
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:99503
晶体管
MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
1:¥3.2318
10:¥2.712
100:¥1.6498
1,000:¥1.2769
5,000:¥1.09158
参考库存:23370
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 2.2K 10K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:63667
晶体管
MOSFET MOSFET P-CHANNEL SOT-23
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:13824
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS5
1:¥252.6454
5:¥242.7353
10:¥233.5936
25:¥214.6887
参考库存:1186
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