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晶体管
SIHA6N80E-GE3参考图片

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SIHA6N80E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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数量单价合计
1
¥19.3682
19.3682
10
¥16.0573
160.573
100
¥12.4526
1245.26
500
¥10.9158
5457.9
1,000
¥9.0626
9062.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
5.4 A
Rds On-漏源导通电阻
820 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
31 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
2.5 S
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
13 ns
商品其它信息
优势价格,SIHA6N80E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200W TO-3P PNP
1:¥27.0522
10:¥22.9729
100:¥19.8993
250:¥18.9049
参考库存:5599
晶体管
MOSFET 20V N-Ch Enh FET 0.61W 1788pF 21.5nC
1:¥3.842
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02943
9,000:¥0.96841
参考库存:72581
晶体管
MOSFET UMOSVIII 250V 200m (VGS=10V) TSON-ADV
1:¥12.2153
10:¥9.831
100:¥7.5258
500:¥6.6444
5,000:¥4.6556
10,000:查看
参考库存:51343
晶体管
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
1:¥4.5313
10:¥3.7064
100:¥2.3956
1,000:¥1.921
2,500:¥1.921
参考库存:16810
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GP 100MA 65V
1:¥0.99892
10:¥0.87575
100:¥0.30736
1,000:¥0.20792
3,000:¥0.16159
参考库存:2097547
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