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晶体管
RD3S100CNTL1参考图片

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RD3S100CNTL1

  • ROHM Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET Nch 190V 10A TO-252 (DPAK)
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数量单价合计
1
¥14.2945
14.2945
10
¥12.1362
121.362
100
¥9.6841
968.41
500
¥8.5315
4265.75
2,500
¥6.5427
16356.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
190 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
182 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
52 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
85 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
6 S
下降时间
75 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
140 ns
典型接通延迟时间
15 ns
商品其它信息
优势价格,RD3S100CNTL1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET DUAL, 50V, 280mA N-CHANNEL MOSFET
1:¥3.6838
10:¥3.0962
100:¥1.9549
1,000:¥1.4577
3,000:¥1.243
参考库存:29125
晶体管
MOSFET NCh/500V/1.3a/5.5Ohm
5,040:¥2.4747
10,080:¥2.3843
25,200:¥2.2939
参考库存:47730
晶体管
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥14.3736
10:¥12.2153
100:¥9.7632
500:¥8.5315
1,000:¥7.1077
参考库存:5597
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 40V
1:¥3.5369
10:¥2.0566
100:¥1.1978
500:¥0.97632
3,000:¥0.62263
9,000:查看
参考库存:26464
晶体管
MOSFET 20V Dual N channel MOSFET
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥3.4239
500:¥2.5086
2,500:¥1.7176
5,000:查看
参考库存:25311
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