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晶体管
SIR414DP-T1-GE3参考图片

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SIR414DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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数量单价合计
1
¥12.5995
12.5995
10
¥10.4525
104.525
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0625
3531.25
1,000
¥6.7235
6723.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
117 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
102 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
SIR414DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SIR414DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥2.9945
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
2,000:¥0.44522
参考库存:89290
晶体管
MOSFET 30V 12.5A 8.2 OHMS NCH
1:¥6.3732
10:¥5.4127
100:¥4.1584
500:¥3.6725
2,500:¥2.5764
10,000:查看
参考库存:20057
晶体管
MOSFET N-channel 80 V 9.9 mo FET
1:¥8.4524
10:¥7.2094
100:¥5.537
500:¥4.8929
1,000:¥3.8646
1,500:¥3.8646
参考库存:16749
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 30V NPN
1:¥0.84524
10:¥0.73789
100:¥0.26103
1,000:¥0.17628
10,000:¥0.11526
20,000:查看
参考库存:338086
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A 100V NPN
1:¥3.616
10:¥2.3617
100:¥1.01474
1,000:¥0.78422
2,000:¥0.59212
参考库存:110813
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