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晶体管
IGW30N100T参考图片

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IGW30N100T

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数量单价合计
1
¥42.3411
42.3411
10
¥35.9566
359.566
100
¥31.1993
3119.93
250
¥29.5834
7395.85
500
¥26.5889
13294.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1000 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
412 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW30N100TFKSA1 IGW3N1TXK SP000380845
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IGW30N100T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 12V N-Ch Enh FET 8 VGS 60pF 0.92nC
1:¥2.7685
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:65269
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:10746
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 150MA
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.7458
参考库存:28218
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
1:¥4.068
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.4464
参考库存:19890
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500V 1A NPN HI VLTG LO VCESAT TRANSISTOR
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:11582
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