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晶体管
AUIRGP4063D-E参考图片

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AUIRGP4063D-E

  • Infineon / IR
  • 最新
  • IGBT 晶体管 Automotive 600V Trench IGBT
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数量单价合计
1
¥90.3661
90.3661
10
¥81.6764
816.764
25
¥77.9135
1947.8375
100
¥67.6192
6761.92
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.14 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
96 A
Pd-功率耗散
330 W
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon / IR
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001512018
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,AUIRGP4063D-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 800V, 12A N-Channel Power MOSFET
1:¥31.1993
10:¥27.8884
25:¥25.0521
100:¥22.826
参考库存:12124
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.2996
10:¥2.5199
100:¥1.3673
1,000:¥1.02943
4,000:¥0.88366
8,000:¥0.82942
参考库存:42176
晶体管
MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥10.2152
10:¥8.4524
100:¥6.4523
500:¥5.5596
1,000:¥4.3844
2,500:¥4.3844
参考库存:188258
晶体管
MOSFET FET 100V 4.85 MOHM PQFN56
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
3,000:¥14.5996
6,000:查看
参考库存:89675
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS
1:¥5.989
10:¥5.3223
25:¥4.8138
100:¥4.2149
3,000:¥2.2939
6,000:查看
参考库存:6497
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