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晶体管
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FDP19N40

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数量单价合计
1
¥21.2892
21.2892
10
¥18.0574
180.574
100
¥14.4414
1444.14
500
¥12.6786
6339.3
1,000
¥10.5316
10531.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
400 V
Id-连续漏极电流
19 A
Rds On-漏源导通电阻
240 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
215 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UniFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP19N40
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
49 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
82 ns
典型接通延迟时间
31 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FDP19N40的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.1357
100:¥1.1413
500:¥0.95259
3,000:¥0.52997
9,000:查看
参考库存:17635
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
500:¥18.2156
参考库存:4317
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 47K
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:21039
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:29101
晶体管
MOSFET MOSFET, 100V, 30A, 1 TO-220 Fullpack
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
1,000:¥6.9721
参考库存:5453
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