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晶体管
SI4948BEY-T1-E3参考图片

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SI4948BEY-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8
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数量单价合计
1
¥10.2152
10.2152
10
¥8.4524
84.524
100
¥6.4523
645.23
500
¥5.5596
2779.8
1,000
¥4.3844
4384.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
3.1 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
14.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
2.4 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI4
晶体管类型
2 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
8.5 S
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SI4948BEY-E3
单位重量
187 mg
商品其它信息
优势价格，SI4948BEY-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP3017SFK-13
Diodes Incorporated
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暂无价格
参考库存:23365
NTMFS4C10NAT3G
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MOSFET T6 LC SO8FL
1:¥3.4578
10:¥2.8137
100:¥1.7176
1,000:¥1.3334
1,500:¥1.13
参考库存:23370
RN1109,LF(CT
Toshiba
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双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:23375
ADTA113ZCAQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:23380
SBCW30LT1G
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SILICON TRANSISTOR PLAST
1:¥3.0736
10:¥2.0114
100:¥0.86784
1,000:¥0.66896
3,000:¥0.50737
参考库存:47977
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