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BSZ15DC02KDHXTMA1参考图片

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BSZ15DC02KDHXTMA1

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数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.4523
64.523
100
¥4.9607
496.07
500
¥4.3844
2192.2
5,000
¥3.0623
15311.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TSDSON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
5.1 A, 3.2 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms, 150 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV, 1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
2.1 nC, - 3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
5.5 S, 3.4 S
下降时间
1.4 ns, 4.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2 ns, 3.7 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12.2 ns, 11.3 ns
典型接通延迟时间
4.9 ns, 7.4 ns
零件号别名
BSZ15DC02KD H SP000961028
单位重量
32 mg
商品其它信息
优势价格，BSZ15DC02KDHXTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UT6MA3TCR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 20V Nch+Pch Si MOSFET
1:¥5.989
10:¥5.0285
100:¥3.2544
1,000:¥2.599
3,000:¥2.1922
参考库存:46977
2SC5086-O,LF
Toshiba
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥1.1639
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72998
参考库存:114474
MMBT3904,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS SW TAPE-7
1:¥0.7684
10:¥0.66896
100:¥0.23843
1,000:¥0.16159
3,000:¥0.12317
参考库存:3475656
BCP68F
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BCP68/SC-73/REEL 13" Q1/T1 *ST
1:¥2.9154
10:¥2.2713
100:¥1.2317
1,000:¥0.92999
4,000:¥0.79891
参考库存:22863
R6030KNXC7
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Nch 600V 30A TO-220FM Pwr MOSFET
1:¥27.12
10:¥23.052
100:¥19.9784
250:¥18.984
参考库存:33160
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