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晶体管
STGW60H60DLFB参考图片

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STGW60H60DLFB

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 600V 60A trench gate field-stop IGBT
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库存:6,311(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.42
38.42
10
¥32.657
326.57
100
¥28.2726
2827.26
250
¥26.8149
6703.725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW60H60DLFB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW60H60DLFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥12.5995
10:¥10.4525
100:¥8.0682
500:¥7.0625
1,000:¥6.7235
3,000:¥6.7235
参考库存:17368
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 32V 0.8A 0.2W SOT-346
1:¥2.9945
10:¥2.2713
100:¥1.2317
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.791
参考库存:17370
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥7.6049
10:¥6.2828
100:¥4.8138
500:¥4.1471
1,000:¥3.277
3,000:¥3.051
参考库存:32372
晶体管
MOSFET N-channel 80 V, 0.003 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥19.5942
10:¥16.6788
100:¥13.2888
500:¥11.6842
参考库存:7329
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
1:¥77.7666
10:¥70.0035
25:¥63.7772
50:¥59.3928
参考库存:2901
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