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晶体管
SI4925BDY-T1-E3参考图片

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SI4925BDY-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 30 Volt 7.1 Amp 2.0W
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数量单价合计
1
¥11.0627
11.0627
10
¥9.0626
90.626
100
¥6.9947
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2,500
¥6.9947
17486.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7.1 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
SI4
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
34 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
SI4925BDY-T1
单位重量
187 mg
商品其它信息
优势价格，SI4925BDY-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SD1492
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥1,877.8114
10:¥1,723.137
25:¥1,546.405
50:¥1,369.673
参考库存:25738
2PB709ART,235
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP TRANSISTOR
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
10,000:¥0.1695
20,000:查看
参考库存:25743
NP36P04SDG-E1-AY
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET MP-3ZK PoTr-MOSFET Low
2,500:¥4.8364
5,000:¥4.5991
参考库存:25748
ZXMC3A17DN8TA
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 30V Enhancement Mode
1:¥6.9947
10:¥6.0229
100:¥4.633
500:¥4.0906
1,000:¥3.2318
参考库存:5410
IPI80N08S2-07
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 75V 80A I2PAK-3 OptiMOS
1:¥13.9894
10:¥11.9102
100:¥9.5259
500:¥8.3733
参考库存:5752
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