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晶体管
APT10035JLL参考图片

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APT10035JLL

  • Microsemi
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  • MOSFET Power MOSFET - MOS7
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数量单价合计
1
¥341.8589
341.8589
2
¥332.559
665.118
5
¥323.4173
1617.0865
10
¥314.1174
3141.174
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Chassis Mount
封装 / 箱体
SOT-227-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1 kV
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
350 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
186 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
520 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
8.9 mm
长度
38 mm
产品
MOSFET
类型
Power MOSFET
宽度
25.2 mm
商标
Microchip / Microsemi
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格,APT10035JLL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP G.P. Transistor 3 Pin
1:¥160.8216
10:¥156.9118
100:¥154.0642
250:¥148.3012
参考库存:2660
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥19.1309
10:¥17.2099
25:¥15.4471
100:¥13.8312
2,500:¥8.3733
5,000:查看
参考库存:13852
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
1:¥30.51
10:¥25.8996
100:¥22.4418
250:¥21.2892
参考库存:2564
晶体管
MOSFET N-channel 30 V, 0.0011 Ohm typ., 260 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥15.2098
10:¥12.9046
100:¥10.3734
500:¥9.0626
3,000:¥6.9721
6,000:查看
参考库存:40011
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
2,000:¥2.147
参考库存:3658
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