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晶体管
BSZ520N15NS3GATMA1参考图片

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BSZ520N15NS3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥10.0683
10.0683
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6218
662.18
500
¥5.8534
2926.7
5,000
¥4.0906
20453
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
52 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
8.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
57 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
BSZ520N15NS3 BSZ52N15NS3GXT G SP000607022
单位重量
200 mg
商品其它信息
优势价格，BSZ520N15NS3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ARF468AG
Microsemi
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥372.7531
2:¥362.6057
5:¥352.5374
10:¥342.4804
参考库存:3847
IPZA60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥84.9082
10:¥76.7609
25:¥73.1562
100:¥63.5512
参考库存:6414
IPP039N10N5AKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥26.5889
10:¥22.5887
100:¥19.5942
250:¥18.5207
参考库存:5171
SI7322ADN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥5.2997
10:¥4.2149
100:¥3.1979
500:¥2.6329
1,000:¥2.1131
3,000:¥1.9097
参考库存:270293
SIHG73N60AEL-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥97.0444
10:¥88.2078
25:¥81.6086
50:¥77.1451
参考库存:6115
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