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晶体管
ZXTP2025FTA参考图片

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ZXTP2025FTA

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50V 5A 3-PIN
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数量单价合计
1
¥5.989
5.989
10
¥5.0059
50.059
100
¥3.2318
323.18
1,000
¥2.5764
2576.4
3,000
¥2.5764
7729.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
5 A
增益带宽产品fT
190 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTP2025
直流电流增益 hFE 最大值
180 at 10 mA, 2 V
高度
1 mm
长度
3.05 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
180 at 10 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 70 at 5 A, 2 V, 12 at 10 A, 2 V
Pd-功率耗散
1560 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，ZXTP2025FTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBF5486
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
1:¥3.1527
10:¥1.9888
100:¥0.85315
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:28642
CSD19501KCS
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET
1:¥14.3736
10:¥12.2153
100:¥9.6841
500:¥8.5315
参考库存:3884
PBHV8118T,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 180V 1A NPN HI VLTGE LO VCESAT TRANSISTOR
1:¥2.9945
10:¥2.2826
100:¥1.2317
1,000:¥0.92999
3,000:¥0.79891
参考库存:30671
IRFBC30PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥11.1418
参考库存:5693
VT6X2T2R
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 50V 0.1A 6PIN
1:¥3.0736
10:¥2.147
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
8,000:¥0.59212
24,000:查看
参考库存:41025
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