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晶体管
BSP170PH6327XTSA1参考图片

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BSP170PH6327XTSA1

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数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.3675
53.675
100
¥3.4578
345.78
1,000
¥2.7685
2768.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
1.9 A
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
- 10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
系列
BSP170
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
1.3 S
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
28 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
92 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
BSP170P H6327 SP001058608
单位重量
200 mg
商品其它信息
优势价格，BSP170PH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ALD212904SAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
50:¥26.3516
100:¥24.6679
250:¥22.2836
500:¥19.9784
参考库存:40506
0405SC-100M
Microsemi
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
5:¥3,613.5592
参考库存:40511
STW62N65M5
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晶体管
MOSFET N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5
1:¥103.508
10:¥95.2025
25:¥91.2136
50:¥86.2868
参考库存:10051
2N2812
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥730.9066
参考库存:40518
JAN2N5339U3
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥1,137.6162
参考库存:40523
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