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晶体管
IPD031N03L G参考图片

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IPD031N03L G

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数量单价合计
1
¥9.0626
9.0626
10
¥7.7631
77.631
100
¥5.9664
596.64
500
¥5.2658
2632.9
2,500
¥3.6838
9209.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
2.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
94 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
50 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
IPD031N03LGATMA1 IPD31N3LGXT SP000680554
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPD031N03L G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N7002L
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET FET 60V 5.0 OHM SOT323
1:¥1.695
10:¥1.1978
100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:2948806
BSZ096N10LS5ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥12.5204
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.2885
5,000:¥5.1076
10,000:查看
参考库存:33458
DMN63D1LDW-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
暂无价格
参考库存:30628
BSS138P,215
Nexperia
晶体管
MOSFET N-CH 60 V 360 mA
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:1598805
FGH40T65UPD
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 650 V 80 A 268 W
1:¥33.8887
10:¥28.815
100:¥24.973
250:¥23.7413
500:¥21.2892
参考库存:31642
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