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晶体管
IRF3703PBF参考图片

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IRF3703PBF

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC
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库存:19,021(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.8203
21.8203
10
¥18.5207
185.207
100
¥16.0573
1605.73
250
¥15.2098
3802.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
210 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
209 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
230 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Smps MOSFET
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
123 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
SP001574662
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRF3703PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 70V 5A OmniFET
1:¥11.526
10:¥9.7632
100:¥7.8422
500:¥6.8252
参考库存:12452
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥28.589
10:¥23.6622
100:¥19.5151
250:¥18.9049
3,000:¥18.9049
参考库存:30994
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 3K
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
参考库存:63006
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:17413
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
1:¥101.2028
10:¥93.0555
25:¥89.2135
100:¥78.535
参考库存:6560
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