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晶体管
BSL214NH6327XTSA1参考图片

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BSL214NH6327XTSA1

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1
¥3.7629
3.7629
10
¥3.1301
31.301
100
¥1.9097
190.97
1,000
¥1.4803
1480.3
3,000
¥1.2656
3796.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
140 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
800 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
4 S
下降时间
1.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.8 ns
典型接通延迟时间
4.1 ns
零件号别名
BSL214N H6327 SP001100658
单位重量
14.790 mg
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC847CT116
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 1MA
1:¥3.616
10:¥2.3052
100:¥0.99101
1,000:¥0.76049
3,000:¥0.5763
参考库存:37148
RJH60F5BDPQ-A0#T0
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥43.7988
10:¥39.1093
25:¥35.1882
50:¥33.6514
参考库存:37153
2PS13512E43W35222NOSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 STACKS IPM
1:¥38,286.8408
参考库存:37158
AUIRL3705ZS
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms
1:¥18.984
10:¥16.1364
100:¥12.9046
500:¥11.30
参考库存:37163
2N5001
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor
1:¥931.3799
2:¥913.0852
5:¥882.6656
10:¥870.5181
参考库存:37168

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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