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产品分类

晶体管
SIA429DJT-T1-GE3参考图片

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SIA429DJT-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70
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库存:139,761(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥3.7516
37.516
100
¥2.7798
277.98
500
¥2.2939
1146.95
1,000
¥1.7628
1762.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
20.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
62 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.5 W
配置
Single
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIA
商标
Vishay / Siliconix
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SIA429DJT-GE3
商品其它信息
优势价格,SIA429DJT-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET JFET P-Channel -50V 50mA 500mW 4mW
1:¥88.9084
10:¥74.7608
100:¥68.7718
250:¥62.7037
参考库存:4037
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GP 45V 100mA
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
10,000:¥0.29154
20,000:查看
参考库存:73959
晶体管
MOSFET Small-signal FET 0.25A 20V 12pF
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
8,000:¥0.27685
24,000:查看
参考库存:91791
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP LOW VCE(SAT)
1:¥4.9155
10:¥4.0341
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
4,000:¥1.6159
参考库存:19578
晶体管
MOSFET AUTOMOTIVE
1:¥60.4776
10:¥54.6355
25:¥52.093
100:¥45.2565
参考库存:5095
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