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晶体管
SI4599DY-T1-GE3参考图片

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SI4599DY-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
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数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥5.6387
56.387
100
¥4.2827
428.27
500
¥3.5369
1768.45
1,000
¥2.9493
2949.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
5.8 A, 6.8 A
Rds On-漏源导通电阻
35.5 mOhms, 45 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V, 1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
11.7 nC, 25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3 W, 3.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
SI4
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
14 S, 22 S
下降时间
9 ns, 9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns, 12 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns, 30 ns
典型接通延迟时间
7 ns, 7 ns
零件号别名
SI4599DY-GE3
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,SI4599DY-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 560V 21A I2PAK-3
1:¥28.9732
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
参考库存:41963
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥380.2789
5:¥359.7694
10:¥355.6901
25:¥328.9543
参考库存:41968
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
1:¥21.131
10:¥17.8992
100:¥14.3736
500:¥12.5204
1,000:¥10.3734
参考库存:41973
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.49946
9,000:¥0.44522
24,000:¥0.42262
45,000:¥0.3616
参考库存:41978
晶体管
MOSFET Trans MOSFET P-CH 12V 3A
1:¥3.2318
10:¥2.4521
100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
8,000:¥0.80682
24,000:查看
参考库存:41983
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