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晶体管
IRL3705ZPBF参考图片

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IRL3705ZPBF

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log LvlAB
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数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0625
3531.25
1,000
¥5.8534
5853.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
86 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
40 nC
Pd-功率耗散
130 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001557992
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRL3705ZPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥3.9211
10:¥3.0397
100:¥1.6498
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.06785
9,000:¥0.99892
参考库存:13309
晶体管
MOSFET -100V 195mOhms@ 10V -8.8A
1:¥6.7574
10:¥5.537
100:¥4.2488
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
2,000:¥2.8815
参考库存:143976
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220
1:¥23.6622
10:¥19.5942
100:¥16.1364
250:¥15.594
参考库存:5658
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,000:¥1.6724
参考库存:129445
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
1:¥1,206.8513
参考库存:5297
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