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晶体管
SQJA76EP-T1_GE3参考图片

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SQJA76EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L
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数量单价合计
1
¥9.2999
9.2999
10
¥7.684
76.84
100
¥5.9099
590.99
500
¥5.0737
2536.85
3,000
¥3.7403
11220.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
75 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
100 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
48 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
17 ns
商品其它信息
优势价格，SQJA76EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPA65R380C6
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 700V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS C6
1:¥15.6731
10:¥13.2888
100:¥10.5994
500:¥9.2999
1,000:¥7.684
参考库存:2706
2PB709ASL,235
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin
10,000:¥0.1695
20,000:¥0.15368
50,000:¥0.13786
100,000:¥0.11526
参考库存:25006
NSBC123JPDXV6T5G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
8,000:¥0.45313
16,000:¥0.45313
24,000:¥0.43053
48,000:¥0.37629
96,000:¥0.36838
参考库存:25011
DTA114EU3HZGT106
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP -50V -0.1A 10kO SOT-323
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:17513
PDTC143XT,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:57810
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