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晶体管
DMN10H700S-7参考图片

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DMN10H700S-7

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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.89157
89.157
1,000
¥0.68365
683.65
3,000
¥0.52206
1566.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
700 mA
Rds On-漏源导通电阻
700 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
4.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.1 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
5.4 ns
典型接通延迟时间
2.5 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DMN10H700S-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL 60V 1A LOWVCESA
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
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参考库存:12805
CEL
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
1:¥8.8366
10:¥6.7574
100:¥4.9155
500:¥4.181
10,000:¥3.0736
20,000:查看
参考库存:119262
晶体管
MOSFET 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
1:¥22.6678
10:¥18.8258
100:¥14.5996
500:¥12.7577
3,000:¥12.7577
参考库存:37894
晶体管
MOSFET 20V P-Channel 1.5V Specfied PowerTrench
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥16.5206
250:¥15.6731
5,000:¥10.8367
参考库存:24056
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.8419
参考库存:49063
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