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DMT10H025SSS-13

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数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.6951
36.951
100
¥2.3843
238.43
1,000
¥1.9097
1909.7
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
7.4 A
Rds On-漏源导通电阻
23 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
21.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
12.9 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标
Diodes Incorporated
下降时间
13.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11.2 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27.5 ns
典型接通延迟时间
8.2 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PHP33NQ20T,127
Nexperia
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1:¥10.6785
10:¥9.1417
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10:¥3.4691
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1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
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STP15NK50ZFP
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晶体管
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1:¥29.5043
10:¥25.0521
100:¥21.7412
250:¥20.6677
参考库存:11657
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