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晶体管
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CSD17381F4T

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 30V,N-Ch FemtoFET MOSFET
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数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥2.0792
20.792
100
¥1.10627
110.627
250
¥1.10627
276.5675
1,000
¥0.82942
829.42
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.1 A
Rds On-漏源导通电阻
109 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
850 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
1.04 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1 mm
系列
CSD17381F4
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.64 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
1.8 S
下降时间
3.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.4 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10.8 ns
典型接通延迟时间
3.4 ns
单位重量
0.400 mg
商品其它信息
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