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晶体管
BFU590GX参考图片

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BFU590GX

  • NXP Semiconductors
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
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数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.3788
53.788
100
¥4.1358
413.58
500
¥3.6612
1830.6
1,000
¥2.8815
2881.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
80 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
24 V
直流电流增益 hFE 最大值
130
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
类型
Wideband RF Transistor
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
8.5 GHz
最大直流电集电极电流
300 mA
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
934067975115
单位重量
97.726 mg
商品其它信息
优势价格，BFU590GX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX2N4957
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥492.0811
5:¥471.4134
10:¥463.1192
25:¥434.146
参考库存:40441
STL21N65M5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)
1:¥47.6408
10:¥40.4992
100:¥35.1204
250:¥33.2672
3,000:¥23.9786
参考库存:40446
2N1890
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥189.7948
5:¥181.2633
10:¥175.5794
25:¥161.364
参考库存:40451
BCP5316H6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.7629
10:¥3.1753
100:¥1.9323
1,000:¥1.5029
2,000:¥1.2769
参考库存:40456
2SD2098T100S
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V 5A
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
2,000:¥1.5029
参考库存:40461
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