PSMN7R0-100PS,127详细参数_参考价格_PSMN7R0-100PS,127 PDF资料_Nexperia

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Id-连续漏极电流	100 A
Rds On-漏源导通电阻	12 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	4.6 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	125 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	269 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Tube
高度	9.4 mm
长度	10.3 mm
晶体管类型	1 N-Channel
类型	N-Channel 100 V 6.8 mOhms Standard Level MOSFET in TO220
宽度	4.7 mm
商标	Nexperia
下降时间	49.5 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	45.6 ns
工厂包装数量	50
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	103.9 ns
典型接通延迟时间	34.6 ns
单位重量	6 g

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STGWT20H60DF	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop	1:¥24.2046 10:¥20.5208 100:¥17.8314 250:¥16.9048 500:¥15.142	参考库存:7677
SQM10250E_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 250V Vds 20V Vgs TO-263	1:¥22.826 10:¥18.9049 100:¥15.594 250:¥15.142 800:¥11.4469 2,400:查看	参考库存:16679
FK3906010L	Panasonic	晶体管	PDF数据手册	MOSFET SM SIG MOS FET FLT LD 1.6x1.6mm	1:¥3.0736 10:¥1.7289 100:¥0.92208 500:¥0.77631 3,000:¥0.43053 9,000:查看	参考库存:79681
SBC807-40WT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 45V	1:¥3.0736 10:¥1.9775 100:¥0.85315 1,000:¥0.65314 3,000:¥0.49946	参考库存:129348
IPN70R1K4P7SATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET CONSUMER	1:¥4.3844 10:¥3.6386 100:¥2.2261 1,000:¥1.7176 3,000:¥1.469	参考库存:34670