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晶体管

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BFP 740F H6327

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  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥3.1075
31.075
100
¥1.8984
189.84
1,000
¥1.469
1469
3,000
¥1.2543
3762.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP740
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
4 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.2 V
集电极连续电流
30 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
13 V
直流电流增益 hFE 最大值
400
高度
0.55 mm
长度
1.4 mm
工作频率
42 GHz
类型
RF Silicon Germanium
宽度
0.8 mm
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
160 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP740FH6327XTSA1 BFP74FH6327XT SP000750416
单位重量
1.870 mg
商品其它信息
优势价格,BFP 740F H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥646.5295
参考库存:47277
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN
8,000:¥0.95259
24,000:¥0.86784
48,000:¥0.83733
96,000:¥0.80682
参考库存:47282
晶体管
MOSFET 40V 42A 4.9 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
3,000:¥9.2999
5,000:¥8.9948
10,000:¥8.6106
参考库存:47287
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥27.7415
10:¥22.9729
100:¥18.9049
250:¥18.2834
参考库存:7341
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN VCE 0.22V 95ns 400 to 1000 hFE 5A
暂无价格
参考库存:47294
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