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晶体管
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FQP7P06

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数量单价合计
1
¥6.7574
6.7574
10
¥5.8195
58.195
100
¥4.4748
447.48
500
¥3.955
1977.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
6.7 A
Rds On-漏源导通电阻
410 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP7P06
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
4 S
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.5 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
FQP7P06_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.4408
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1:¥37.5725
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100:¥25.6623
250:¥24.8148
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1:¥24.4306
10:¥20.7468
100:¥18.0574
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参考库存:4300
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1:¥4.068
10:¥3.4239
100:¥2.0905
1,000:¥1.6159
3,000:¥1.3786
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晶体管
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1:¥5.2997
10:¥4.3844
100:¥2.825
1,000:¥2.2713
3,000:¥1.9097
参考库存:18314
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