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晶体管
BD180G参考图片

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BD180G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 80V 30W PNP
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数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0228
40.228
100
¥2.4521
245.21
1,000
¥1.8871
1887.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-225-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.8 V
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
3 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD180
高度
11.04 mm (Max)
长度
7.74 mm (Max)
封装
Bulk
宽度
2.66 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
Pd-功率耗散
30 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
640 mg
商品其它信息
优势价格,BD180G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
1:¥90.061
10:¥81.0662
25:¥73.8455
50:¥68.7718
参考库存:1620
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 2.15mOhms
1:¥6.9947
10:¥5.9777
100:¥4.5991
500:¥4.0567
1,500:¥2.8476
9,000:查看
参考库存:8797
晶体管
MOSFET TAPE13 MOSFET
1:¥5.8421
10:¥4.8025
100:¥3.0962
1,000:¥2.486
2,500:¥2.0905
参考库存:23852
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
参考库存:16354
晶体管
MOSFET
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
参考库存:23859
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