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晶体管

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VS-GB400TH120U

  • Vishay Semiconductors
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  • IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
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库存:46,859(价格仅供参考)
数量单价合计
12
¥1,988.1559
23857.8708
36
¥1,960.3466
70572.4776
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.1 V
在25 C的连续集电极电流
660 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2.66 kW
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-GB400TH120U的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 120V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
1:¥20.5208
10:¥17.4472
100:¥15.142
250:¥14.3736
参考库存:8180
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
1:¥3.616
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
10,000:¥0.52997
20,000:查看
参考库存:26090
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC88 GP XSTR NPN 30V
1:¥3.2996
10:¥2.1357
100:¥0.91417
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.53788
参考库存:1085687
晶体管
MOSFET 150V Dual N&P Chnl PowerTrench MOSFET
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9948
500:¥7.8422
3,000:¥6.0907
6,000:查看
参考库存:26097
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.039 Ohm typ., 63 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥91.1345
10:¥83.8347
25:¥80.3769
100:¥70.7719
参考库存:6194
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