PDTA123TU,115详细参数_参考价格_PDTA123TU,115 PDF资料_Nexperia

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	2.2 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-323-3
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Reel
高度	1 mm
长度	2.2 mm
宽度	1.35 mm
商标	Nexperia
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格	AEC-Q101
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	PDTA123TU T/R

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
APT75GP120B2G	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single	1:¥196.6313 5:¥187.7947 10:¥181.9526 25:¥167.2061	参考库存:5905
FQD2N80TM	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 800V N-Channel QFET	1:¥8.2264 10:¥7.0173 100:¥5.3901 500:¥4.7686 1,000:¥3.7629 2,500:¥3.5934	参考库存:5632
IRFR210TRPBF	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 200V Vds, 20V Vgs DPAK (TO-252)	1:¥7.6049 10:¥6.3506 100:¥5.6274 500:¥4.407 1,000:¥3.4804 2,000:¥3.1527	参考库存:50859
IRF530PBF	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET	1:¥9.605 10:¥7.7631 100:¥6.8365 500:¥5.3675 1,000:¥4.2827	参考库存:41666
RFD16N05SM9A	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Power MOSFET	1:¥8.2942 10:¥7.0286 100:¥5.4014 500:¥4.7686 1,000:¥3.7629 2,500:¥3.7629	参考库存:17658