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晶体管
DMP3018SFV-13参考图片

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DMP3018SFV-13

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数量单价合计
3,000
¥1.3334
4000.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标
Diodes Incorporated
下降时间
42.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57.5 ns
典型接通延迟时间
7.8 ns
商品其它信息
优势价格,DMP3018SFV-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.695
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:37544
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.5368
10:¥1.08367
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.24634
参考库存:37549
晶体管
IGBT 模块 3300V 400A CHOPPER
1:¥8,245.4744
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参考库存:37554
晶体管
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770:¥8.8366
1,000:¥7.2659
2,500:¥6.5201
10,000:¥6.2715
参考库存:37559
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1,000:¥1.2091
5,000:¥1.2091
参考库存:37564
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