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晶体管
BSL207NH6327XTSA1参考图片

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BSL207NH6327XTSA1

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库存：16,354(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.4691
34.691
100
¥2.1244
212.44
1,000
¥1.6385
1638.5
3,000
¥1.4012
4203.6
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.1 A
Rds On-漏源导通电阻
58 mOhms, 58 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
2.1 nC, 2.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
7 S, 7 S
下降时间
2.4 ns, 2.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.8 ns, 2.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns, 11 ns
典型接通延迟时间
5.4 ns, 5.4 ns
零件号别名
BSL207N H6327 SP001100648
单位重量
14.800 mg
商品其它信息
优势价格，BSL207NH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CSD25484F4
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 8mil version of CSD25481F4
1:¥2.8476
10:¥2.147
100:¥1.1865
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.7684
参考库存:407225
QPD1003
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
1:¥4,702.608
参考库存:2012
FF600R12KE4BOSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 LOW POWER EASY
1:¥1,440.75
5:¥1,406.0929
10:¥1,371.2098
25:¥1,352.0789
参考库存:2049
NTHL065N65S3F
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V TO247
1:¥47.3357
10:¥40.2619
100:¥34.8831
250:¥33.0412
参考库存:4466
F3L100R12W2H3_B11
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥453.356
5:¥443.1408
10:¥425.8518
25:¥412.1675
参考库存:2083
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